LED芯片壽命試驗過程全解析
摘要：LED 具有體積小，耗電量低、長壽命環保等優點，在實際生產研發過程中，需要通過壽命試驗對 LED芯片 的可靠性水平進行*價，并通過質量反饋來提高LED芯片的可靠性水平，以保證LED芯片質量。 1、引言 作為電子元器件， 發光二極管 (LightEmittingDiode-led)已出
閱讀：10832014年06月25日 14:53:00
摘要：LED 具有體積小，耗電量低、長壽命環保等優點，在實際生產研發過程中，需要通過壽命試驗對 LED芯片 的可靠性水平進行*價，并通過質量反饋來提高LED芯片的可靠性水平，以保證LED芯片質量。 1、引言 作為電子元器件， 發光二極管 (LightEmittingDiode-led)已出
閱讀：10832014年06月25日 14:53:00摘要：日前，在廣州舉行的2013年 LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵 大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底大功率LED研發及產業化和大尺寸硅襯底LED技術的最新進展
閱讀：12702014年06月25日 14:53:00摘要：1.正向電壓下降，暗光 A:一種是電極與發光資料為歐姆觸摸，但觸摸電阻大，首要由資料襯底低濃度或電極殘缺所形成的。 B:一種是電極與資料為非歐姆觸摸，首要發生在芯片電極制備進程中蒸騰第一層電極時的擠壓印或夾印，散布方位。 別的封裝進程中也能夠形成正
閱讀：14672014年06月25日 14:53:00摘要：1. LED芯片檢驗 鏡檢：材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑lockhill芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極圖案是否完整 2. LED擴片 由于LED芯片在劃片后依然排列緊密間距很小(約0.1mm)，不利于后工序的操作。采用擴片機對黏結芯片的膜進行擴張，使LED芯片的
閱讀：13802014年06月25日 14:53:01摘要：LED 板上芯片(Chip On Board,COB)封裝流程 首先是正在基底表面用導熱環氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環氧樹脂)覆蓋硅片安放點， 然后將硅片 間接安放正在基底表面， 熱處理至硅片牢固地固定正在基底為行， 隨后再用絲焊的方法正在硅片和基底之間間接建立電氣連接
閱讀：17442014年06月25日 14:53:01摘要：一、 研磨首部曲——上蠟 LED芯片研磨制程的首要動作即“上臘”，這與硅芯片的CMP化學研磨的貼膠意義相同。將芯片固定在鐵制(Lapping制程)或陶瓷(Grounding制程)圓盤上。先將固態蠟均勻的涂抹在加熱約90~110℃的圓盤上，再將芯片正面置放貼附于圓盤，經過加
閱讀：14002014年06月25日 14:53:01摘要：要想得到 大功率LED器件，就必須制備合適的大功率 LED芯片。國際上通常的制造大功率 LED芯片的方法有如下幾種： ①大尺寸法。通過增大單體LED的有效發光面積和尺寸，促使流經TCL層的電流均勻分布，以達到預期的光通量。但是，簡單地增大發光面積無法解決散熱
閱讀：12222014年06月25日 14:53:01摘要：藍寶石由于具有與GaN大體匹配的晶格，以及與同質襯底相比的成本效益，是 LED開盒即用晶片的卓越材料。在諸如商業和住宅 照明等應用不斷增加的需求推動下，為了滿足今后數年里預期的市場增長，LED市場將需要越來越多的低成本LED級藍寶石。藍寶石的高熔點導致
閱讀：12682014年06月25日 14:53:02摘要：藍寶石晶片目前廣泛用作III-V族 LED器件氮化物外延薄膜的襯底，然而由于氮化物和藍寶石大的晶格失配和熱膨脹系數的差別，使得在襯底上生長的氮化物材料位錯和缺陷密度較大，影響了器件的發光效率和壽命。圖形化襯底(PSS)技術可以有效地減少外延材料的位錯和
閱讀：31122014年06月25日 14:53:02
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