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　　用于液晶面板、有機EL面板以及電子紙等顯示面板驅動用途的氧化物半導體TFT的研發越來越活躍。其中，作為驅動有機EL面板的TFT的有力候補，氧化物TFT更是備受關注。與原來采用非晶硅的TFT相比，氧化物半導體TFT的載流子遷移率高達10cm22/Vs，是前者的10倍左右，這樣便容易提高有機EL面板的亮度。另外，氧化物TFT的特性不均現象較小，并且電流的時變也較少。可輕松控制有機EL面板的顯示不均現象，適用于大面積化用途。此外，由于可采用濺鍍法制作，導入時無需大幅改進現有液晶面板的生產線。

　　鑒于這些優點，韓國LG顯示器、韓國三星電子、臺灣友達光電（AU ptronics）等韓國及臺灣的大型面板廠商紛紛開始致力于氧化物TFT的開發，日本廠商最近也開始加大開發力度。

　　夏普在2009年12月舉辦的顯示器技術國際學會“16th InternationalDisplay Workshops（IDW ’09）”上公開了采用氧化物TFT的2.6英寸QVGA（320×240像素）液晶面板。氧化物半導體采用IGZO（In-Ga-Zn-O）。

圖：采用凸版印刷的涂布型氧化物TFT的電子紙試制出采用可進行涂布的氧化物半導體的TFT，成功驅動了電子墨水生產的電子紙（a）。特點是TFT的制造工序中最高溫度僅為270℃（b）。（圖：（a）由凸版印刷提供）

　　凸版印刷則致力于采用可進行涂布的氧化物半導體的TFT的開發。通過采用涂布工藝，有望削減制造成本。該公司試制出了制造工序中最高溫度可降至270℃的氧化物TFT。與原來利用涂布工藝制造氧化物TFT相比，“最高溫度要低100℃以上”（該公司）。凸版印刷的TFT是在玻璃底板上制成的，采用旋壓覆蓋（Spin Coat）法對氧化物半導體進行涂布成膜。以柵極絕緣膜為代表，源極等各電極均采用原來的制造工序。

　　雖然還比不上濺鍍產品，但涂布成膜的試制品的遷移率為0.5cm2/Vs以上，導通/截止比為105以上，實現了與普通非晶硅TFT相當的特性。其特點是有望用于驅動電子紙及液晶面板。事實上，凸版印刷已利用該試制品，成功驅動了美國電子墨水（E Ink）制造的2英寸電子紙。