日本高知工科大學(xué)針對(duì)作為ITO（Indium Tin Oxide）電極替代材料而備受矚目的ZnO（氧化鋅）的最新研究成果，在有源矩陣型顯示器國(guó)際學(xué)�(huì)“AM-FPD 10”（2010�7�5�7日，在東京工�(yè)大學(xué)舉行）上�(fā)表了演講（演講序�(hào)�4-1）。該大學(xué)以將ZnO�(yīng)用于柔性顯示器和太�(yáng)能電池為目標(biāo)，對(duì)在樹(shù)脂底板上形成的Ga Doped ZnO（GaZnO）膜的特性�(jìn)行了研究，結(jié)果發(fā)�(xiàn)在樹(shù)脂底板上也可以獲得與玻璃底板幾乎相同的光透射率和電阻率�
研究小組此次在環(huán)烯烴�(lèi)�(shù)脂（Cycloolefin Polymer）底板上，采用離子鍍（Ion Plating）法�(duì)多晶GaZnO膜�(jìn)行了成膜。樹(shù)脂底板的厚度�3mm，GaZnO膜的厚度最大為100nm左右。在不到100℃的底板溫度下生�(zhǎng)的GaZnO膜，其可視光透射率為80％以上，電阻率為10-4Ωcm多，獲得了良好的�(jié)果。據(jù)介紹，雖然電阻率低于ITO，但可視光透射率高于ITO�
其特�(diǎn)是在�(yīng)用于柔性元件時(shí)，即使彎曲GaZnO膜，膜的特性也不易劣化。原因是膜由五角形和六角形的晶粒（Grain）組合構(gòu)成，因此彎曲后，“會(huì)像（由五角形和六角形�(gòu)成的）足球一樣彎曲”（高知工科大學(xué)工學(xué)部教授山本哲也）�
另外，在生長(zhǎng)�(shí)的底板溫度接�100℃這種要求比較高的條件下，存在GaZnO膜的空穴（正孔，Hole）遷移率�(huì)因熱�(yīng)力而下降的可能。對(duì)于這�(gè)�(wèn)題，有望通過(guò)在樹(shù)脂底板和GaZnO膜之間設(shè)置阻擋層�(lái)避免。此外，雖然GaZnO膜一般難以�(jìn)行蝕刻加工，不過(guò)“我們已�(jīng)形成了線寬和線間距均�3μm的微�(xì)圖案”（山本）�
高知工科大學(xué)在此次的演講中，就采用GaZnO透明電極試制3英寸�20英寸液晶面板的成果�(jìn)行了介紹。另外，該大�(xué)正與卡西歐計(jì)算機(jī)、夏普以及三菱瓦斯化�(xué)等共同推�(jìn)由日本經(jīng)�(jì)�(chǎn)�(yè)省主�(dǎo)的ITO替代材料�(kāi)�(fā)�(xiàng)目。（記者：大下 淳一�
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