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東大發布面向RFID標簽等的研究成果

編輯:hattie 2010-07-08 13:41:10 瀏覽�1189  來源:日經BP�

    東京大學在有源矩陣型顯示器國際學會“AM-FPD 10”(2010�7�5�7日,在東京工業大學舉辦)上發布了應用于有機TFT的CMOS電路的研究成果(演講序號:S1-5)。此次就采用富勒烯(C60)的n型TFT獲得�27.7MHz截止頻率、采用并五苯(pentacene)的p型TFT獲得�11.4MHz截止頻率(獲得電流增益的頻率上限)。今后,如果通過縮短通道長度等改進方法,將這些截止頻率提高�100MHz左右,“便可利用有機TFT實現�1MHz以上頻率工作的CMOS電路”(東京大學納米量子信息電子研究機構特任副教授北村雅季)�

    在決定TFT截止頻率的多個要素中,采用C60的n型TFT及采用并五苯的p型TFT的載流子遷移率均可達�5cm2/Vs左右。要想應用于CMOS電路,余下的主要課題是如何控制縮短通道長度時的電阻增大問題。針對該問題,東京大學開發出了通過在Au源漏電極下插入AuNi層來減小接觸電阻的方法。此外,還通過利用有機分子修飾Au電極的表面來減小功函數,進一步改善了TFT的特性。其結果是,通道長度�2μm的C60-TFT與并五苯TFT的截止頻率分別提高到�10MHz以上�

    該研究小組認為,基于有機TFT的CMOS電路有望應用于RFID標簽。據介紹,由于RFID標簽的數字電路截止頻率僅�100kHz左右,因此如果能夠利用有機TFT實現MHz工作,便可得到充分應用�

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