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　　半導體照明網(wǎng)訊 東京大學生產(chǎn)技術研究所教授藤岡洋的研究室2014年6月23日宣布，開發(fā)出了在玻璃基板上用濺射法形成GaN基LED的技術。相關論文已發(fā)表在學術雜志《ScientificReports》上。除了與現(xiàn)有LED相比可大幅降低制造成本之外，新技術還有可能實現(xiàn)用無機LED制作有機EL那樣的大面積發(fā)光元件。

　　藤岡教授的研究室在約2英寸（直徑約5cm）的玻璃基板上轉(zhuǎn)印了石墨烯多層膜，然后在石墨烯多層膜上用脈沖濺射法分別形成了AlN、n型GaN、由GaN與InGaN的多層構造構成的量子阱、p型GaN晶體。

　　藤岡表示，很早以前就開始開發(fā)利用濺射法制作LED的技術，“還沒有發(fā)布過這些技術的詳細內(nèi)容，只是在累積經(jīng)驗”。

　　另外，藤岡研究室還在2008年開發(fā)出了在石墨片材上用“脈沖激勵沉積法（PXD）”形成GaN晶體的技術。

　　此次在可稱得上是最薄石墨片材的石墨烯片材上用濺射法形成了GaN晶體，并確認可實際發(fā)光。據(jù)介紹，分別制作了以紅色（R）、綠色（G）、藍色（B）三原色發(fā)光的LED。

　　目前還無法檢測白色發(fā)光的發(fā)光效率，以及單色狀態(tài)下的外部量子效率，正在對極低溫條件下的內(nèi)部量子效率進行評估。藤岡教授表示，“與藍寶石基板上制作的LED相比，內(nèi)部量子效率要低好幾成”。今后的課題是如何將內(nèi)部量子效率提高至與現(xiàn)有LED相當?shù)乃�平�?/p> jQuery('.').html(); if('0' > 0){ var userid = ''; var page = '';