�高亮度LED的應用面不斷擴大，首先進入特種照明的市場領域，并向普通照明市場邁�。由�LED芯片輸入功率的不斷提�，對這些功率�LED的封裝技術提出了更高的要��
功率�LED封裝技術主要應滿足以下兩點要求�1、封裝結構要有高的取光效��2、熱阻要盡可能低，這樣才能保證功率LED�光電性能和可靠性�
半導�LED若要作為照明光源，常規產品的光通量與白熾燈和熒光燈等通用性光源相�，距離甚�。因�，LED要在照明領域發展，關鍵是要將其發光效�、光通量提高至現有照明光源的等級。功率型LED所用的外延材料采用MOCVD的外延生長技術和多量子阱結構，雖然其內量子效率還需進一步提�，但獲得高發光通量的最大障礙仍是芯片的取光效率低。現有的功率型LED的設計采用了倒裝焊新結構來提高芯片的取光效率，改善芯片的熱特性，并通過增大芯片面積，加大工作電流來提高器件的光電轉換效�，從而獲得較高的發光通量。除了芯片外，器件的封裝技術也舉足輕重。關鍵的封裝技術工藝有�
散熱技�
傳統的指示燈型LED封裝結構，一般是用導電或非導電膠將芯片裝在小尺寸的反射杯中或載片臺上，由金絲完成器件的內外連接后用環氧樹脂封裝而成，其熱阻高達250�/W~300�/W，新的功率型芯片若采用傳統式的LED封裝形式，將會因為散熱不良而導致芯片結溫迅速上升和環氧碳化變黃，從而造成器件的加速光衰直至失�，甚至因為迅速的熱膨脹所產生的應力造成開路而失��
因此，對于大工作電流的功率型LED芯片，低熱阻、散熱良好及低應力的新的封裝結構是功率型LED器件的技術關�?？刹捎玫妥杪省⒏邔嵝阅艿牟牧险辰Y芯片；在芯片下部加銅或鋁質熱沉，并采用半包封結構，加速散�；甚至設計二次散熱裝�，來降低器件的熱�。在器件的內�，填充透明度高的柔性硅橡膠，在硅橡膠承受的溫度范圍內（一般為-40℃~200℃），膠體不會因溫度驟然變化而導致器件開�，也不會出現變黃現象。零件材料也應充分考慮其導�、散熱特�，以獲得良好的整體熱特性�
二次光學設計技�
為提高器件的取光效率，設計外加的反射杯與多重光學透鏡�
功率型LED白光技�
常見的實現白光的工藝方法有如下三種：
�1）藍色芯片上涂上YAG熒光�，芯片的藍色光激發熒光粉發出540nm~560nm的黃綠光，黃綠光與藍色光合成白光。該方法制備相對簡單，效率高，具有實用性。缺點是布膠量一致性較�、熒光粉易沉淀導致出光面均勻性差、色調一致性不好；色溫偏高；顯色性不夠理��
?�?）RGB三基色多個芯片或多個器件發光混色成白光，或者用�+黃綠色雙芯片補色產生白光。只要散熱得�，該方法產生的白光較前一種方法穩�，但驅動較復�，另外還要考慮不同顏色芯片的不同光衰速度�
�3）在紫外光芯片上涂RGB熒光粉，利用紫光激發熒光粉產生三基色光混色形成白光。由于目前的紫外光芯片和RGB熒光粉效率較低，仍未達到實用階段�
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