晶圓代工大廠�(tái)積電和三星的�(jìng)�(zhēng),現(xiàn)由邏輯芯片擴(kuò)及內(nèi)存市�(chǎng)� �(tái)積電這次重返�(nèi)存市�(chǎng),瞄�(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代�(nèi)存,因傳輸速度比一般閃存快上萬(wàn)倍,是否引爆�(nèi)存產(chǎn)�(yè)的新潮流,值得密切�(guān)注�
�(tái)積電技�(shù)�(zhǎng)孫元成日前在�(tái)積電技�(shù)論壇,首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨�(jī)存取�(nèi)存)和eRRAM(嵌入式電阻式內(nèi)存)分別訂明后年�(jìn)行風(fēng)�(xiǎn)性試�(chǎn),主要采�22奈米制程,這將是臺(tái)積電因應(yīng)物聯(lián)�(wǎng)、行�(dòng)裝置、高速運(yùn)算計(jì)算機(jī)和智能汽車等四領(lǐng)域所提供效能更快速和耗電更低的新�(nèi)存�
�(tái)積電次世代內(nèi)存布局
這也是臺(tái)積電共同�(zhí)行長(zhǎng)魏哲家向法人表達(dá)不會(huì)跨足�(biāo)�(zhǔn)型內(nèi)存,不會(huì)角逐東芝分割成立半�(dǎo)體公司股�(quán)后,�(tái)積電再次說明�(nèi)存的�(zhàn)策布局,將瞄準(zhǔn)效能比一般DRAM和儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)的MRAM和RRAM�
稍早三星電子也在一�(chǎng)晶圓廠商論壇中發(fā)表該公司所研發(fā)的MRAM� 三星目前也是全球中率先可提供此次世代�(nèi)存產(chǎn)品的�(nèi)存廠,產(chǎn)品技�(shù)�(shí)程大幅領(lǐng)先臺(tái)積電,三星的MRAM并獲恩智浦導(dǎo)入�
�(jù)了解,臺(tái)積電早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代�(nèi)存研�(fā),多年來因難度高,商�(yè)化和�(jìng)�(zhēng)力遠(yuǎn)不如DRAM,導(dǎo)致多家廠商都都僅限于研發(fā)�
�(nèi)存業(yè)者表示,次世代內(nèi)存中,投入研�(fā)的廠商主要集中MRAM、RRAM及相變化�(nèi)存(PRAM)等三大次世代內(nèi)存,其中以MRAM的處理速度最快,但也是最難量�(chǎn)的內(nèi)存類型�
不過,在DRAM和NAND Flash制程已逼近極限,包括無人車、AI人工智能、高階智能型手機(jī)和物�(lián)�(wǎng)等要求快速演算等功能,是�(tái)積電�(rèn)為商�(jī)即將成熟并決定在2018�2019年提供相�(guān)嵌入及整合其他異�(zhì)芯片技�(shù),�(jìn)行商�(yè)化量�(chǎn)�
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