很少人會想到NAND閃存已經(jīng)快要消失在地平線�、即將被某種新技�(shù)取代,筆者最近參加了一場IBM/Texas Memory Systems�(guān)于閃存儲存系�(tǒng)的電話會�,聽到不少儲存系�(tǒng)專家試圖把對話導(dǎo)引到IBM在下一代存儲器技�(shù)的規(guī)劃上,于是很驚訝地發(fā)�(xiàn)這些人居然都�(rèn)為NAND閃存很快就會被新存儲器技�(shù)取代�
筆者在去年7月的HotChips大會上曾�(jīng)做過一場報�,指出閃存在未來十年將會是主流存儲器技�(shù);而現(xiàn)在該�(chǎn)�(yè)才剛�(jìn)�
不過有鑒于這個產(chǎn)�(yè)的運作模式,�“1Znm”之后,若出現(xiàn)另一條延�(xù)平面存儲器生命的新途徑也不足為奇;因此如果以每個存儲器世代兩年生命周期來計�,平面閃存應(yīng)該還能存�4~6�。在那之后,我們則將會擁有3D NAND閃存技�(shù)�
雖然三星(
今日大多�(shù)廠商都預(yù)�3D存儲器在式微之前也會�(jīng)歷三�,因此同樣以兩年一個時代來計算,NAND閃存技�(shù)�(yīng)該在4~6年之�,還會有另外一�6年的生命;所以在存儲器產(chǎn)�(yè)真的需要新技�(shù)來驅(qū)動產(chǎn)品價格下降那�,應(yīng)該已�(jīng)�10~12年之后了�
我的意思并不是其他存儲器技�(shù)有什么不�,只是目前尚未有足夠的力量讓它們的價格能比NAND閃存更低�;而且在NAND閃存到達(dá)制程微縮極限之前,也沒有其他的動能可以改變現(xiàn)在的狀�。無論如�,要�(dá)到最低的成本、總是要有最大的�(chǎn)�,NAND閃存與DRAM目前就是比其他任何一種存儲器技�(shù)更便宜的方案�
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