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臺積電瘋了:今年試產16nm 明年進軍10nm

編輯:admin 2014-04-21 15:00:34 瀏覽�613  來源:驅動之�

  昨天三星和GlobalFoundries達成協議授權后者使用三星的14nm FinFET工藝,預計今年底開始投產。準備進入FinFET工藝的還有代工業老大臺積電,而且速度前所未有的塊�

  臺積電公告稱他們目前已經在試產16nm FinFET工藝,商業化量產預計�2015年早些時候。與此同時,臺積電還開發出了改進型�16nm FinFET+工藝,預計在2015年晚些時候量甀�

  臺積電預計大多數客戶會從16nm FinFET工藝升級�16nm FinFET+工藝,因為后者的優勢更大� �16nm FinFET相比�16nm FinFET+工藝在同樣的功耗下性能提高�15%,在同樣�頻率下功耗則降低�30%,相�20nm工藝則會�40%的速度優勢�

  此外�16nm FinFET+�16nm FinFET的設計規則是一樣的,大部分要求都是互相兼容的,16nm FinFET的芯片設計只需要非常小的改動(如果需要的話)就能用到�16nm FinFET+工藝上,客戶遷移到新工藝的成本及花費的時間都會很低�

  臺積電預�16nm FinFET+工藝在今�9月份就會完全合格,他們還表示95%的晶圓廠都可以使�16nm FinFET+工藝,而目前正在生產以及準備生�20nm工藝�95%晶圓廠都可以上馬16nm FinFET工藝,因此臺積電預計未來轉移�16nm FinFET�16nm FinFET+工藝的時間會很快� 首批16nm FinFET+工藝芯片流片會在2014年完成,其余45個芯片流片預計在2015年完成,此前臺積電公布的今年16nm FinFET工藝芯片流片數量�16個�

  臺積電工藝大躍進:研發10nm已經推上日程 除了16nm FinFET�16nm FinFET+工藝之外,臺積電還規劃了下下代的制程工藝——10nm FinFET,這是該公司第三代FinFET工藝,在提高性能及降低功耗上有進一步的改進�

  臺積電預計,�16nm FinFET+相比,同樣的功耗下10nm FinFET的頻率提�25%,而同樣的性能下功耗降�45%,晶體管密度則是16nm FinFET+工藝�2.2倍� 目前10nm FinFET工藝還在開發中,2015年Q4季度會進行試產�

  如果進展一切順利,那么NVIDIA�AMD以及高通公司將�2015年開始使�16nm工藝�2016-2017年間使用10nm工藝�

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