硅基GaN技�(shù)盡管具有成為�(yōu)�(shì)，但是它的大批量生產(chǎn)前景還不明朗，不過它已經(jīng)開始�(jìn)入生�(chǎn)。那么它的專利格局是怎樣的呢?
大部分主要的LED企業(yè)都積極地申請(qǐng)硅基GaN技�(shù)相關(guān)專利，少�(shù)將其作為核心策略和技�(shù)路線。Yole�(yù)�(cè)，相�(duì)于LED�(chǎn)�(yè)，該技�(shù)將在功率電子和RF�(yīng)�
硅基GaN襯底面臨一些技�(shù)挑戰(zhàn)。GaN和硅之間的巨大晶格失配導(dǎo)致了外延層的缺陷密度太高。而且兩者之間的巨大熱膨脹系�(shù)�(huì)�(dǎo)致它在從生長(zhǎng)溫度冷卻至室溫時(shí)�(chǎn)生大的拉伸應(yīng)力，這會(huì)引起薄膜的破裂和晶圓的下凹彎曲�
Yole的報(bào)告挑選了解決上述挑戰(zhàn)的專利，并深入分析了專利持有人及其專利技�(shù)，但不涉及有源層或GaN器件的專利�
眼下，這些專利技�(shù)表面�(guān)鍵材料問題已�(jīng)取得了顯著的�(jìn)步，比如減少位錯(cuò)密度和應(yīng)力管理以防止晶圓出現(xiàn)破碎和翹曲。Yole Développement�(rèn)為硅基GaN IP已足夠先�(jìn)使其開始大批量生�(chǎn)�
超過50家公司和科研�(jī)�(gòu)涉足硅基GaN IP，而大部分主要的GaN廠商在專利申�(qǐng)方面名列前茅。豐田合成、東芝�
目前，僅有少�(shù)廠商在銷售外延片或模板，能夠商用硅基GaN器件的廠商鳳毛麟角。不同于少數(shù)被注意到的IP整合(Nitronex 與International Rectifier、東芝與�
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