HB 系列利用意法半導體的溝槽型絕緣閘極雙載子性電晶體制程，集極切斷無曳尾(collector-current turn-off tail-less)電流極低，飽和電�(Vce(sat))�1.6V (典型�)，因而最大幅度降低了開關和導通時的能耗。此外，這項技術具有良好的可控性，參數分布窗口十分緊密，因而可提高設計再用性，簡化系統設計�
意法半導體的HB系列IGBT可提升目標應用的能效，例如太陽能轉換器、電磁爐、電焊機(welders)、不斷電系統(
可選參數包括30A�80A(�100℃時)的最大額定電流、多種主流的功率封裝和為諧振(resonant)或硬式開關電�(hard-switching circuits)最佳化的內建二極體的封裝�
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