12月13日消息光刻機(jī)大廠ASML宣布,與韓國(guó)三星電子簽署備忘錄,將共同投資1萬億韓元在韓國(guó)建立研究中心,并將利用下一代極紫外(EUV)光刻機(jī)研究先進(jìn)半導(dǎo)體制程技術(shù)。
值得一提的是,上個(gè)月初有消息表示,三星電子在五年內(nèi)從ASML采購50套設(shè)備,每套單價(jià)約為2000億韓元,總價(jià)值可達(dá)10萬億韓元。
三星電子于2022年6月推出了全球首個(gè)采用全柵極(GAA)技術(shù)的3納米半導(dǎo)體芯片制程技術(shù)后,三星一直在努力確保能采購更多EUV光刻機(jī),目標(biāo)是使該公司能在2024年上半年進(jìn)入第二代3納米制程技術(shù),2025年進(jìn)入2納米制程技術(shù),并在2027年進(jìn)入1.4納米半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域。
正因如此,三星集團(tuán)董事長(zhǎng)李在镕在2022年6月訪問了ASML總部,與ASML執(zhí)行長(zhǎng)Peter Bennink討論了EUV的采購問題,并在同年11月與訪問韓國(guó)的Peter Bennink進(jìn)行了進(jìn)一步會(huì)談。鑒于EUV光刻機(jī)從下訂到交貨的時(shí)間至少需要一年,當(dāng)時(shí)的會(huì)面討論開始在現(xiàn)在開花結(jié)果。
另外,先前ASML也曾經(jīng)表示,計(jì)劃在2023年底前發(fā)表首臺(tái)商用High-NA (NA=0.55) EUV光刻機(jī),并在2025年量產(chǎn)出貨。這使得自2025年開始,客戶就能從數(shù)值孔徑為0.33傳統(tǒng)EUV多重圖案化,切換到數(shù)值孔徑為0.55 High-NAEUV單一圖案化,降低制程成本,提高產(chǎn)量。目前,預(yù)估 High-NA EUV 曝光季將會(huì)有五大客戶,包括英特爾、臺(tái)積電、三星、美光等。
ASML, High NA EUV量產(chǎn)設(shè)備 2025年正式供應(yīng)
荷蘭ASML將加強(qiáng)極紫外線(EUV)曝光機(jī)設(shè)備的支配力。明年將供應(yīng)0.33鏡頭開口數(shù)(NA:Numerical Aperture)設(shè)備“NXE:3800E”。High NA即0.55 NA設(shè)備將于2025年商業(yè)化。
12月12日,ASML Korea在由thelec主辦的“Advanced Lithography&Patterning Tech Conforence”上公開了“未來10年EUV路線圖”(EUV roadmap to the decade)。
EUV曝光設(shè)備由ASML獨(dú)家生產(chǎn)。用于制造3nm以上系統(tǒng)半導(dǎo)體和10nm級(jí)DRAM。TSMC、三星電子、英特爾、SK海力士、Micron等是主要客戶。
ASML Korea韓國(guó)鄭振恒常務(wù)稱:“從2018年量產(chǎn)設(shè)備上市到2023年第三季度為止,已經(jīng)交付213臺(tái)0.33NA設(shè)備,每臺(tái)每天消化3000張左右的晶圓。這意味著需要具備每天能生產(chǎn)3000張以上的設(shè)備。”
2024年新產(chǎn)品NXE:3800E每小時(shí)可處理多達(dá)220張晶圓。機(jī)器套刻誤差(MMO:Matched Machine Overlay)為0.9nm。與前款產(chǎn)品相比,生產(chǎn)量提升40%, MMO提高了0.2nm。
鄭常務(wù)表示:“為了提高生產(chǎn)效率,不僅提高了晶圓處理速度,還提高了激光照射強(qiáng)度,將測(cè)量傳感器增加到了2個(gè)”,“盡管如此,與2018年首次開發(fā)的設(shè)備相比,每片晶圓的能耗量減少了42%”。
0.55 NA設(shè)備將于2025年開始供應(yīng)。0.55 NA設(shè)備也稱為High NA設(shè)備。目前,所有使用0.33 NA設(shè)備的企業(yè)都確定導(dǎo)入0.55 NA設(shè)備。當(dāng)NA值上升時(shí),可以刻畫出更細(xì)微的電路。
鄭常務(wù)稱:“用于研發(fā)(R&D)的0.55 NA首臺(tái)設(shè)備‘EXE:5000’在第四季度供應(yīng),量產(chǎn)用的0.55 NA設(shè)備‘EXE:5200B’將從2025年開始供應(yīng)。將采取在荷蘭總部組裝由美國(guó)德國(guó)等國(guó)制造的4個(gè)模組并交付的形式。”
EXE:5200B的目標(biāo)是220張MMO 0.8nm每小時(shí)晶圓處理量。
鄭常務(wù)補(bǔ)充稱:“為支持High EV工藝轉(zhuǎn)換和光刻膠(PR),Mask等生態(tài)系統(tǒng)進(jìn)行的研究也在持續(xù)進(jìn)行。半導(dǎo)體市場(chǎng)雖然目前停滯不前,但2030年將增長(zhǎng)到1萬億美元的規(guī)模,對(duì)此ASML將致力于及時(shí)供應(yīng)設(shè)備。”
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