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半導體產業技術峰會 | 英諾賽科(深圳)半導體有限公司陳鈺林:氮化鎵優越的材料特性能提升電能轉換效率

編輯:chinafpd 2022-06-22 14:20:29 瀏覽:2074  來源:

  氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導體,是微波功率晶體管的優良材料,也是藍色光發光器件中的一種具有重要應用價值的半導體,氮化鎵可廣泛應用在消費類電子、數據中心、電動汽車、新能源與儲能等領域。在2022廣東省半導體產業技術峰會上,英諾賽科(深圳)半導體有限公司(以下簡稱“英諾賽科”)產品應用副總經理陳鈺林介紹了英諾賽科在氮化鎵方面的研發進展以及氮化鎵的應用領域。

  英諾賽科(深圳)半導體有限公司產品應用副總經理陳鈺林

  陳鈺林介紹,英諾賽科是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵功率與射頻器件的研發與產業化企業,并于2017年底建成了我國首條8英寸硅基氮化鎵功率器件的量產線。公司高低壓產品全面覆蓋,全部實現量產,另外,公司出貨量在氮化鎵領域排名全球前三,目前公司有蘇州和珠海兩個硅基氮化鎵基地。

  陳鈺林介紹,公司產品從40V~300V都有覆蓋,之后會延伸至900V。器件方面,根據不同的功率等級有不同的封裝,目前公司的封裝形式主要是以貼片為主。他還介紹公司的高壓產品跨度較大,從功率看,30瓦~10K瓦都有覆蓋,可滿足充電器、服務器、數據中心儲能的應用。陳鈺林還特別介紹,英諾賽科首家推出的雙向導通GaN器件,利用氮化鎵雙向導通的特點,目前已經在手機內部開始量產,特別在電池方面具有非常大的優勢。

  陳鈺林重點介紹了氮化鎵材料,功率半導體的損耗包括開關損耗和導通損耗,氮化鎵功率器件有三大優勢:一是低Qg/Ciss,開關速度快,降低開關損耗;二是低Coss/Qoss,開關頻率高,降低開關損耗;三是Qrr=0,沒有反向恢復損耗(沒有體二極管),降低開關噪音,EMI性能好;四是低Rdson,降低導通損耗。此外,陳鈺林還介紹了英諾賽科氮化鎵的核心應用領域在消費類電子(手機、筆記本、PD快充、無線充電)、數據中心(人工智能、云服務器)、電動汽車(激光雷達、48V電源、OBC)、新能源與儲能(光伏儲能)。

  具體來看,未來2-3年氮化鎵主要應用在手機以及電源管理方面。目前英諾賽科推出全球首顆進入手機的氮化鎵器件氮化鎵電子開關并已實現客戶端量產;在數據中心方面,GaN在48V數據中心架構上具有顯著的效率及節能優勢;在新能源汽車方面,氮化鎵是激光雷達Lidar(100V)的核心技術方案,華為的雷達已經開始應用;在新能源與儲能方面,DCDC、DCAC應用氮化鎵具有高效、高頻、高功率密度的優勢,整體體積比硅的系統減半,頻率提升2-3倍。

  最后,陳鈺林總結,氮化鎵應用從消費、工業、汽車、儲能等方面都有覆蓋,它帶來的核心優勢是提升效率、減小損。換句話說,全球一年有30萬億度的電用量,如果之后有50%~70%的系統都適用氮化鎵,用電量將減少1萬億度,這一結果相當于13個長江三峽發電站,從碳減排來看,相當于接近10億噸的碳減排,對于節能減排有著重要的意義,這是氮化鎵對雙碳的助力。

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